近日，年度湖南专利奖榜单发布，其中唯一一个特等奖由株洲中车时代半导体有限公司夺得。
02:09打造“三个高地”走在前列中车时代半导体荣获湖南省专利奖唯一特等奖
株洲中车时代半导体有限公司研发的“功率半导体芯片、包括该芯片的子模组及压接式封装模块”发明专利，跳出了现有技术路线的制约，打破了国外公司的知识产权壁垒。该专利通过芯片、子模组、模块的协同创新，解决了压接型IGBT均流与芯片数量的矛盾，攻克了压接型IGBT压力均衡与芯片数量难以协调的世界性难题，实现大容量压接式IGBT具备双面散热、长期失效短路的能力，性能表现超越现有产品，整体技术水平达到国际领先。
刘国友株洲中车时代半导体有限公司专家：“别适合于电网这种高压应用场合，它需要很大的电流容量，需要器件承受很高的电压，传统的器件的话，要实现这个功能的话，就需要很复杂的拓扑来实现，要么成本就非常高，我们这种器件通过多芯片的压接并联，来实现更大的电流容量，拓扑结构简单很多。”
目前该专利已顺利推广至轨道交通、电动汽车、有色冶金、电力系统、钢铁、新能源等领域，批量应用于国家电网巴西美丽山特高压输电二期项目、北京冬奥会重点配套电网工程、乌东德水电站、粤港澳大湾区直流背靠背广州工程等重大项目，占国内市场半壁江山。
刘国友株洲中车时代半导体有限公司专家：“新能源的大规模开发利用，远距离的传输和新能源的大比例接入等方面，会起到越来越大的作用。对现在的电网进行柔性化改造，必须有这种大功率的IGBT来实现能力的转换和控制。有助于推动新型电力系统的建设，同时也会推动绿色低碳经济的发展。”
记者丨苏婷李凌
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